| 需求分类 | 需求标题 | 需求详情 | 状态 |
| 金融需求 | 项目融资需求 | 项目预算
1、一期（设计公司）：建设第三代半导体材料GaN高频高效功率器件研发设计公司，开发GaN高频高效功率器件芯片；
需要办公、研发实验室、应用测试实验室、仓库共2000平；
一期融资2000万元，前置补贴1000万元（包括研发产学研合作、人员工资、净化车间、工程批、测试实验室等），产业投资（股权）1000万元
2022~2023年，完成产品定义、样品测试、大客户测试，实现销售收入6000万元，税收160万元，解决就业30+。
2、二期（封测）：建设第三代半导体GaN器件的封装测试产线，实现自主封装测试能力与有效成本质量的控制。
需要净化车间5000平（层高大于4米），普通厂房3000平，办公、研发实验室、应用测试实验室2000平，仓库1500平，员工宿舍1000平；
融资1亿元，用于产线建设、研发、产品投入。
2024~2025年累计销售目标7亿元，税收3000万元，员工200人。
3、三期（芯片）：投资或联合投资芯片线，成为家电及电源行业GaN HEMT功率器件研发与市场化的黑马。
2026年销售目标10亿，融资5亿元，完成股改和上市申报工作。 | 征集中 |