需求分类 | 需求标题 | 需求详情 | 状态 |
金融需求 | 项目融资需求 | 项目预算
1、一期(设计公司):建设第三代半导体材料GaN高频高效功率器件研发设计公司,开发GaN高频高效功率器件芯片;
需要办公、研发实验室、应用测试实验室、仓库共2000平;
一期融资2000万元,前置补贴1000万元(包括研发产学研合作、人员工资、净化车间、工程批、测试实验室等),产业投资(股权)1000万元
2022~2023年,完成产品定义、样品测试、大客户测试,实现销售收入6000万元,税收160万元,解决就业30+。
2、二期(封测):建设第三代半导体GaN器件的封装测试产线,实现自主封装测试能力与有效成本质量的控制。
需要净化车间5000平(层高大于4米),普通厂房3000平,办公、研发实验室、应用测试实验室2000平,仓库1500平,员工宿舍1000平;
融资1亿元,用于产线建设、研发、产品投入。
2024~2025年累计销售目标7亿元,税收3000万元,员工200人。
3、三期(芯片):投资或联合投资芯片线,成为家电及电源行业GaN HEMT功率器件研发与市场化的黑马。
2026年销售目标10亿,融资5亿元,完成股改和上市申报工作。 | 征集中 |