项目以硅基四族材料为基础，采用硅CMOS兼容工艺，开发硅基光电子技术，为信息获取、传输、处理等提供高速、低功耗、高可靠、智能化的芯片、模块、系统和技术解决方案。核心关键技术主要包含：（1）硅基锗材料外延生长技术。采用先进的超低温过渡层技术，调控失配应变的弛豫过程，控制位错的形态、位置、迁移和合并，制备高质量的硅基锗外延材料。外延材料的位错密度约1E6cm-2，处于国际先进水平；（2）硅基高速光电探测器芯片技术。采用新颖的非对称PIN结构，减少整体载流子渡越时间，同时降低电容，增强电场，从而提高器件带宽，满足光通信和光互连对高速光信号接收的需求；（3）锗/硅高速雪崩光电探测器（APD）芯片技术。采用吸收区与倍增区分离的结构，充分发挥锗和硅各自优势，通过插入电荷控制层，调控器件的电场分布，从而精准控制雪崩发生的过程和区域，实现高增益带宽积的锗/硅雪崩光电探测器。1. 高速光电探测器及其阵列(1) 公司的锗硅光电探测器(PD)基于硅与锗异质集成技术，专为高速光信号探测设计。产品采用成熟的硅CMOS兼容工艺与高质量锗外延技术，在近红外波段实现高速光探测，适用于数据中心、5G等光通信领域。(2) 速率范围:10-200 Gbaud/s；工作波长:1260-1400 nm。阵列间距:多种阵列间距可选;(3) 产品优势：l 低暗电流:先进的器件结构及低缺陷外延工艺，暗电流达到行业领先水平;l 全流程品控:100%筛选测试及外观检测;l 广泛兼容性:与国内外主流跨阻放大器(TIA)匹配;l 工业级可靠性:满足TelcordiaGR-468-CORE标准，全面支持非气密封装。2. 雪崩光电探测器及其阵列(1) 公司的锗硅雪崩光电探测器(APD)基于硅与锗异质集成与雪崩倍增技术，专为高速高灵敏度光信号探测设计。产品结合锗的高效光吸收与硅的低噪声雪崩增益特性，实现了高增益与高带宽的平衡，适用于中长距离光通信、弱光信号检测。(2) 速率范围:10~50 Gbaud/s工作波长:1260~1380 nm阵列间距:多种阵列间距可选;(3) 产品优势：l 高增益低噪声:创新的吸收倍增分离结构;l 全流程品控:100%筛选测试及外观检测;l 广泛兼容性:与国内外主流跨阻放大器(TIA)匹配;工业级可靠性:满足TelcordiaGR-468-CORE标准，全面支持非气密封装。