各相关单位：
双碳目标的提出彰显了中国应对气候变化的责任和担当，同时也为我国节能减排效率提升提出了更高的要求，第三代半导体支撑新能源、电网、5G、白色家电、快充、储能等多个领域的节能目标，是实现国家双碳战略的有力抓手，自2020年以来第三代半导体的应用场景持续拓宽，部分应用场景进入市场爆发期。
“科创中国”技术路演——第三代半导体（常州）专场，由中国科学技术协会主办，中国科协企业创新服务中心、江苏省科协企业创新服务中心、常州市科学技术协会、中关村产业技术联盟联合会、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟共同承办。本次路演将采用线上直播的方式，优选7家创新创业企业展示第三代半导体及相关领域优秀创新项目，并邀请业界相关技术专家、投资人、企业家做线上点评、交流、对接。
一、路演时间
2022年5月19日（周四）14:00至17:30
二、路演平台
科创中国
三、组织机构
主办单位
中国科学技术协会
承办单位
中国科协企业创新服务中心
江苏省科协企业创新服务中心
常州市科学技术协会
中关村产业技术联盟联合会
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
技术支持
科创中国、科技工作者之家
合作单位
创业邦
四、路演议程
(一)14:00—14:05 主持人开场
(二)14:05—17:00 项目路演
14:05-14:20 项目1：基于LED的普适光通信
发布人：陈雄斌 中国科学院半导体研究所研究员
14:20-14:30 专家点评
14:30-14:45 项目2：新一代窄带物联网技术— TurMass? 芯片和系统解决方案
发布人：江昊 上海道生物联技术有限公司技术总监
14:45-14:55 专家点评
14:55-15:10 项目3：传感系统芯片SoC
发布人：陈耀东 中科德诺微电子（深圳）有限公司副总经理，市场总监
15:10-15:20 专家点评
15:20-15:35 项目4：功率半导体封装用陶瓷基板
发布人：陈明祥 华中科技大学教授，武汉利之达科技股份有限公司创始人
15:35-15:45 专家点评
15:45-16:00 项目5：车规级功率与电源模块开发和制造
发布人：刘波 苏州悉智科技有限公司首席执行官
16:00-16:10 专家点评
16:10-16:25 项目6：功率半导体检测解决方案及关键设备
发布人：杜科 博测半导体科技有限公司副总经理
16:25-16:35 专家点评
16:35-16:50 项目7：金刚石基射频滤波器芯片产业化项目
发布人：张勇 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司副总经理
16:50-17:00 专家点评
(三）17:00—17:20 互动交流（投资机构与项目方）
(四）17:20—17:30 结束
五、报名及观摩方式
欢迎各界人士积极报名观摩此次路演活动。请扫描下方二维码报名线上观摩！报名成功后系统将自动跳转显示入群二维码，需扫码入群，直播链接将于活动当天在群内发布。
附件1：路演项目介绍
附件2：评审嘉宾介绍
中关村产业技术联盟联合会
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2022年5月18日
（联系人：张老师，李老师；联系方式：13811793060，1861838748）
附件1
路演项目介绍
项目一
项目名称：基于LED的普适光通信
可见光通信被定义为6G潜在关键技术之一，本项目团队2008年和欧美同年开始可见光通信技术研究，现拥有国际领先的高速实时可见光通信的核心技术。解决了荧光型LED高速实时通信的关键技术；解决了超低照度可见光智能家居系统的实用化技术。荧光型LED能实现Gbps的实时通信，可见光智能家居系统的照度要求仅5lx。在市场应用方向以“装一盏灯实现全屋智能”打造简约的智慧生活。
项目二
项目名称：新一代窄带物联网技术 — TurMass? 芯片和系统解决方案
IHS预测2023年LPWAN连接数量达17亿个，2017-2023年全球LPWAN网络连接数量年复合增长率为64%。本项目聚焦LPWAN网络的LoRa芯片。项目核心技术是基于大规模天线（mMIMO）的超大容量窄带传输技术。项目创新亮点是高性能射频单元(RFU)开发、低功耗SoC的设计、低功耗PMU的设计。在市场方向将以智慧城市、智慧园区、工业物联网、卫星物联网及行业专网为主。
项目三
项目名称：传感系统芯片SoC
该项目与中科院、西安邮电大学等高校科研机构在集成电路设计领域展开产学研深度合作。拥有CMOS-MEMS传感技术、高精度数模/模数转换技术、RISC-V自主处理器内核、低功耗通信技术、射频识别技术、非挥发存储技术。目前，已结合部分现有技术开发出了第一代芯片低功耗微传感SOC芯片。前期应用市场为智慧消防、智慧能源、智慧城市领域。后续多代芯片也将基于已有研发优势，聚焦低功耗微传感芯片SOC，并在智慧医疗、生化检测芯片方面拓展应用。
项目四
项目名称：功率半导体封装用陶瓷基板
本项目自主研发了电镀陶瓷基板（DPC）全套技术，通过专利转让实现产业化，申请专利20余项，荣获国家技术发明二等奖和湖北专利银奖，产品广泛应用于LED、激光器（LD & VCSEL）、电力电子、高温传感等领域。
项目五
项目名称：车规级电能变换客制模块开发和制造
本项目通过十多年技术积累，研发出车规级功率模块和电源模块。功率模块在低电感技术、多芯片并联均流技术、低热阻技术、高温高可靠封装技术、EMI抗干扰技术均获得突破；主要应用于智能电动汽车的充电系统（含车载充电和超级充电桩）、驱动系统；清洁能源的工商业储能和氢能压缩机。电源模块在高频电源拓扑技术、高频电源磁芯元件、封装与出pin等关键技术上也已成熟。可提供智能电动汽车的供电系统（800&400/48V、48/12V）。
项目六
项目名称：功率半导体检测解决方案及关键设备
本项目依托多年积累的核心技术，创新开发的大功率静态测试系统、大功率动态测试系统、功率循环测试系统、高压局放测试系统、功率器件分析系统等功率半导体测试系列产品，可解决功率器件IGBT和新型材料GaN、SiC等功率半导体器件的全参数测试难题。
项目七
项目名称：金刚石基射频滤波器芯片产业化项目
项目研究掌握了2-6英寸硅基金刚石薄膜制备工艺、2-6英寸取向压电薄膜制备工艺和金刚石基射频滤波器芯片的设计、半导体工艺、封装、检测技术，并已经完成局部流片验证，完成了金刚石基滤波器芯片核心技术攻关工作。本项目产品将打破现有市场铌酸锂或钽酸锂压电单晶基片的垄断局面，实现换道超车。
附件2
评审嘉宾介绍
（一）技术点评专家
张韵
中国科学院半导体研究所副所长、研究员
清华大学电子工程系学士，佐治亚理工学院电子及计算机工程系博士。具备多年GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析经验。迄今为止已在国际高水平学术期刊发表GaN方面文章20余篇，及40余篇国际会议文章。
技术领域：GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析
沈波
北京大学理学部副主任、教授
国家杰出青年基金获得者，基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家，享受国务院政府津贴。先后担任国家863计划 “第三代半导体”重点专项总体专家组组长，“十三五”国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员，“十四五”国家“新型显示与战略性先进电子材料”重点专项实施方案和指南起草专家组成员。1995年迄今一直从事GaN基第三代半导体材料、物理和器件研究，迄今发表学术论文300多篇，获得/申请发明专利80多件。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。
技术领域：GaN基第三代半导体材料、物理和器件研究
郭伟玲
北京工业大学教授
光电子技术教育部重点实验室副主任
半导体照明课题组组长
承担了国家科技支撑计划、863、北京市科委重大专项等项目30余项;承担了多项重大产业化研究项目。作为骨干参与项目20余项；发表论文90 余篇，SCI/EI 检索50余篇；申请发明专利33项；获国家重点新产品奖1项、北京市技术发明一等奖1项、省部级科技进步二等奖3项。主编《LED器件与工艺技术》专著一部、任《照明工程学报》副主编、中国照明学会理事；科技部第三代半导体材料领域专家，科技部、教育部、北京市等部门项目评审专家；中国照明学会专家委员会委员、半导体照明论坛程序委员会LED芯片、封装与模组技术分会委员。国内外多家知名期刊审稿专家。
技术领域：GaN领域光电子、先进显示、功率电子器件研究。
（二）投资机构嘉宾
郭甲禾
熙诚致远私募基金管理（北京）有限公司副总裁
东方汇智资产管理有限公司、北京睿嘉资产管理有限公司，主要负责投资工作；拥有7年投资经验，其中包括3年二级市场投资以及4年股权投资；聚焦半导体、通讯、云计算、大数据、人工智能领域。
关注阶段：Pre-C
投资案例：趋动科技、天数智芯、康芯威、忆芯科技、明略科技、百图生科、源堡科技等。
曾文潇
兴业银行北京分行投资银行部
硬科技行业组投资负责人
曾就职于孚能科技，中证机构间报价系统。重点布局领域覆盖半导体，新能源，高端制造。
关注阶段：B轮至Pre-IPO
投资案例：集创北方、屹唐半导体、中科富海、软通动力、中信戴卡等。
崔晔
建信（北京）投资基金管理管理公司电子组负责人
兼任中化建信基金投资管理公司副总经理
曾任建信信托股权部副总，自2017年开始进行电子行业的研究及投资，主要关注于算力芯片、光电芯片、模拟功率芯片、汽车电子等方面的投资。
关注阶段：A+,B轮
投资案例：澜起科技、华海清科、北醒光子、景略半导体、北京绿菱投资等项目。
（三）产业界专家
张志国
北京国联万众半导体科技有限公司副总经理
具有十五年宽禁带半导体研发、生产和管理经历，是国内较早在此领域开展研究人员之一。牵头建立了国内首个GaN微波功率器件工艺技术研发平台，编写了国内首套研发工艺和检验规范。基于此平台后续研制的GaN微波功率器件和芯片产值超亿元。研制出国内第一支瓦级GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，为后续规模应用奠定工艺和理论基础。开发了国内首个X波段GaN MMIC工程化产品，形成详细规范并在系统中进行验证和试用。先后承担和参与十几项国家重大专项、北京市重大项目等，发表论文四十余篇。作为专家参与多项国家级和北京市宽禁带半导体规划工作。