各相关单位：

“科创中国”技术路演旨在落实中国科协服务科技经济融合发展行动，构建政产学研用金介合作平台，打通产业链、创新链，创新资源云聚集、优质项目云分享、创新主体云联结，推进创新成果转移转化，助力创业项目成长壮大，促进国际科技创新合作，推动技术要素与资本要素融合发展，助力企业创新产业转型升级，推动高质量发展。

一、路演时间

2022年10月27日（周四）14:00至17:30

二、路演平台

“科创中国”平台

三、组织机构

主办单位

中国科学技术协会

承办单位

中国科协企业创新服务中心 

中关村产业技术联盟联合会

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

技术支持

科创中国

合作单位

创业邦

四、路演议程

（一）14:00—14:05  主持人开场

（二）14:05—17:25  项目路演

14:05-14:20 项目1：超宽禁带半导体氧化镓衬底及外延产业化

发布人：北京镓创科技有限公司CEO李龙  

14:20-14:30 技术专家、企业家点评 

14:30-14:45 项目2：高纯镓及氮化镓衬底材料产业化项目

发布人：华厦半导体（深圳）有限公司CEO谈谦  

14:45-14:55 技术专家、企业家点评

14:55-15:10 项目3：高品质碳化硅单晶晶圆制造

发布人：北京清研半导科技有限公司首席科学家刘源

15:10-15:20 技术专家、企业家点评

15:20-15:35 项目4：第三代半导体功率器件

发布人：安徽芯塔电子科技有限公司总经理倪炜江

15:35-15:45 技术专家、企业家点评

15:45-16:00 项目5：高端光电探测器芯片项目

发布人：北京英孚瑞半导体科技有限公司杨志茂 CEO

16:00-16:10 技术专家、企业家点评

16:10-16:25 项目6：米格实验室

发布人：北京聚睿众邦科技有限公司闫方亮 CEO

16:25-16:35 技术专家、企业家点评

16:35-16:50 项目7：微射流激光先进技术于第三代半导体应用

发布人：西安晟光硅研半导体科技有限公司总经理杨森

16:50-17:00 技术专家、企业家点评

17:00-17:15 项目8：半导体瞬态热测试及功率循环设备

发布人：鲁欧智造(山东)高端装备科技有限公司董事长&总经理罗亚非

17:15-17:25 技术专家、企业家点评

（四）17:25-17:30  结束

五、报名及观摩方式

欢迎各界人士积极报名观摩此次路演活动。请扫描下方二维码报名线上观摩！报名成功后系统将自动跳转显示入群二维码，需扫码入群，直播链接将于活动当天在群内发布。

附件1：路演项目介绍

附件2：评审嘉宾介绍

中关村产业技术联盟联合会

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

2022年10月25日

（联系人：张老师，侯老师；联系方式：13811793060，13811837211）

附件1

路演项目介绍

项目一

项目名称：超宽禁带半导体氧化镓衬底及外延产业化

项目主要产品为超宽禁带半导体氧化镓单晶衬底和外延片。公司处于起步阶段，充分利用政府资源及社会资金，聚焦于单晶衬底和外延片的研发制备，客户主要以高校和科研用户为主。公司通过技术迭代、推广宣传，不断挖掘和培养潜在的应用客户。在成长成熟阶段，通过与客户及用户深度合作共同开发基于氧化镓的探测器和功率器件，最终实现产品的规模生产和应用。

项目二

项目名称：高纯镓及氮化镓衬底材料产业化项目

本项目是从高纯镓、镓合金（氧化镓、氮化镓、锑化镓）到氮化镓衬底的全产业链布局项目。高纯镓提纯工艺解决了工艺稳定性和效率问题，本项目氮化镓衬底是公司独创专利工艺，采用多晶基板生长单晶薄膜的方法，实现氮化镓粉末、基板成型、多晶材料生长、衬底薄膜生长，克服了异质衬底的不足，避免了热应力与晶格失配的问题，具有效率高、直径大的优势。

项目三

项目名称：高品质碳化硅单晶晶圆制造

本项目面向国内外第三代半导体行业日益增长的需求与国外技术现状，瞄准行业痛点，基于核心团队多年的热场设计及长晶设备技术积累，致力于将高质量SiC衬底产业化、高良率化、低成本化，形成以高品质SiC衬底制备、长晶设备制造与销售于一体的经营模式，通过技术创新快速实现国产替代，产品质量达国内领先水平。

项目四

项目名称：第三代半导体功率器件

芯塔电子根据自身特点及优势，采用无晶圆厂（Fabless）的轻资产模式，通过器件的研发设计和委托代工，构建虚拟IDM体系，给客户高效率的第三代半导体功率器件产品和应用解决方案。产品研发方面，安徽芯塔电子积极谋划战略布局，加快开展自主研发，目前已形成包括SiC SBD、SiC MOSFET、SiC 模块在内完整的功率器件产品体系。

项目五

项目名称：高端光电探测器芯片项目

项目在以下三方面开展研发应用：（1）光探测：以InGaAs APD产品作为市场切入点，开发线性和盖格模式的单管APD芯片同时衍生出InGaAs PIN产品线，做为APD的降维度市场竞争，推出异形PIN（针对特定形状的传感需求）、拓展波长的PIN，以及PIN阵列产品。（2）光通信：采取差异化竞争策略，切入产品稀缺且高毛利的10G和25G高速APD探测器市场。（3）激光器：开发单片功率30w以上的大功率激光器芯片，利用独有的端面处理和腔面镀膜技术使产品具有高可靠性。

项目六

项目名称：米格实验室

米格实验室源自中科院，为实体企业和科研院校，在材料和半导体的研发方面，提供检测与技术解决方案服务，包括材料分析、微纳加工、可靠性、失效分析、CP&FT、封装加工、SEMI认证等服务。通过自建实验室和共享实验室的模式，建立起米格实验室的测试加工服务方面的技术矩阵。通过公司完备的SOP制度，把控服务质量及做好技术沉淀。米格实验室通过线上+线下结合、院所与园区、联盟、协会，在全国范围建立广泛的市场营销体系。

项目七

项目名称：微射流激光先进技术于第三代半导体应用

本项目主要产品包括围绕第三代半导体晶圆材料的滚圆、切片、划片等设备。较传统技术有省材料提高额外产出，加工效率高，切割质量高节省后续抛磨环节时间和成本投入，人力成本降低，提高加工良率。其掌握的微射流激光切割技术，已经成功完成6英寸碳化硅晶锭的滚圆、切片和划片，同时技术兼容8英寸晶体滚圆切片，可实现高效率、高质量、低成本、低损伤、高良品率碳化硅单晶衬底制备。

项目八

项目名称：半导体瞬态热测试及功率循环设备

鲁欧智造的研发团队，通过长时间的研发攻关，攻克了这项基于JEDEC 51-14标准的半导体瞬态热测试设备关键技术，生产出半导体瞬态热测试设备赤霄和半导体功能循环设备赤霄-PC,而且在产品的功能和性能上，做出了很大实质性的改进和提升，大大降低了设备的使用门槛，提高了数据的可靠性。主要应用领域：半导体，新能源，工业自动化，汽车，电力电子，数据通信，照明等。

附件2

技术点评专家简介

刘广政

北京北方华创微电子装备有限公司 工艺经理

北京市通州区高层次引进人才，长期从事于半导体材料与器件的学习、研究和生产，专业知识扎实，经验丰富。曾作为主要研究人员完成了国家重点基础研究发展(973)计划子课题“硅基Ⅲ-Ⅴ族量子点激光器的制备与研究”的主要科研任务。通过多步生长法成功利用分子束外延设备分别在硅衬底和锗衬底上制备出高质量砷化镓薄膜，并在此基础上通过合理设计外延层结构成功制备硅基Ⅲ-Ⅴ族量子点激光器并实现了室温激射。

技术领域：半导体材料与器件装备

孙国胜

中国科学院半导体研究所 研究员

主要从事第三代宽禁带SiC（碳化硅）半导体外延材料生长、外延设备研发、特性表征、以及SiC功率半导体器件和MEMS器件研制工作。在碳化硅外延生长技术方面具有丰富的教学经验和实际操作经验。先后参加和主持国家“863”、国家重大基础研究计划项目（973项目）、国家自然科学基金委、中国科学院重点和北京市科委等项目多项，在国内外主要学术刊物上发表研究论文六十余篇，获得国家专利四十余项。

技术领域：宽禁带半导体材料

汤益丹

中国科学院微电子研究所 副研究员

从事第三代宽禁带半导体SiC功率器件研发15余年。主持国家重大科技专项、国家高技术项目、国家重点研发计划青年科学家项目等，以第一作者及通讯作者发表论文30余篇，授权中国发明专利23项，授权美国发明专利3项。获北京市技术发明二等奖1项。

技术领域：宽禁带半导体功率器件

投资机构嘉宾简介

郭晓鹏

盈科资本 投融资总监

本科研究生分别就读于武汉理工大学、清华五道口，先后在大型商业银行、蔚来汽车、盈科资本担任高管职务，负责投资运营工作，重点关注新能源、新材料方向项目。

关注领域：新材料，新能源

投资案例：西安因诺航空、深圳劢微机器人、北京金宇顺达科技、先导薄膜科技、江苏中润光能

许效

齐鲁产研科技创新（北京）有限公司 执行董事

武汉大学工科学士，中科院地理所理学硕士，加拿大滑铁卢大学环境博士，熟悉空天信息，数据科学，绿色健康，双碳环保新能源新材料等多学科交叉专业领域，从事专业投资工作十年。

关注领域：新材料/先进制造/生物医药健康/节能环保与新能源

投资案例：中科泰阳、清松一嘉、中科原动力、基因启明、加拿大特立马

唐辰

中科长光创投 合伙人

毕业于北京航空航天大学光电信息工程专业，专注于早期前沿科技投资，曾就职于明石创新投资集团、中科院创投和清科创投。关注领域：氮化镓、金刚石、氧化镓等第三代化合物半导体材料以及高导热金属、高导热陶瓷、碳基导热材料等热管理材料。

关注领域：新材料/化合物半导体

投资案例：博易股份、科达利（002850）、寒武纪（688256）、通视光电、中科原动力、长光时空、化合积电、赛墨科技、漠石科技

产业界专家

李斌

山西烁科晶体有限公司 总经理

高级工程师，从事碳化硅材料研究10余年。曾被评为山西省“三晋英才”；2012年获得山西省国防工业科技进步一等奖；2020年获得中国电科集团科技进步一等奖。承担省部级以上科技项目10余项，申请专利20余项。作为总设计师研制了碳化硅PVT单晶生长炉，目前已实现第五代量产，适用于6-8英寸碳化硅单晶生长；作为总负责人带领团队攻关碳化硅衬底产业化技术，进行中国电科（山西）碳化硅材料产业基地建设，掌握碳化硅材料整线生产技术。